PPT ränidioksiidi pinna mõju kummitoodete omadustele
(1) Niiskus
Sadestunud ränidioksiidi veesisaldus sisaldab vaba vett ja seondunud vett. Kuumutamisel saab ränidioksiidi pinnal vaba vett kergesti eemaldada. Vaba vesi on liiga väike, mis näitab, et ränidioksiidi pinnal on vähe kerget alust, mis vähendab ränidioksiidi aktiivsust ja soodustab ränidioksiidi agregeerumist segamise ajal, mistõttu ühendis on raske jagada. Vähem pinnaveega ei mõjuta mitte ainult vulkaniseerimiskiirus, vaid ka tugevdav toime väheneb vastavalt. Vaba vesi on veidi kõrgem, kummi segamine on hea, kiire pulbri söötmise kiirus, vähem tolmu lendamist, rulli pakkimise omadus on samuti hea, vulkaniseerimise kiirus on veidi kiirem. Vulkanisaadi pind kipub siiski mullitama ülemäärase veesisalduse, kõrge soojuse tekke, kerge põletamise, aglomeratsiooni ja ebaühtlase dispersiooni tõttu ning samuti vähenevad vulkanisaadi füüsikalised ja mehaanilised omadused. Üldiselt võib 6-8% pinnavee silikageeli molekulil olla parim isoleeriv roll, et vältida osakeste uuesti agregeerumist ja jaotumist segamisel ühtlaselt ühendis, mis soodustab omaduste parandamist ja vulkaniseerimiskiiruse kiirendamist . Seotud vesi on ränidioksiidi sees, mis on suhteliselt stabiilne ja mida saab eemaldada ainult siis, kui temperatuur on kõrgem kui 400 C. Üldine sisaldus on 4,0-7,0%. Kui liidetakse liiga palju vett, näitab see, et geelisisaldus reaktsiooniprotsessis on kõrge, valmistootel on vähe aktiivsust ja ka tugevdav toime kummist on väike. Liigse dehüdratsiooni ja lihvimise tendents reaktsiooniprotsessis on ka armatuurile ebasoodne.
(2) pH väärtus
Ränidioksiidi happesus ja leeliselisus avaldavad suurt mõju kummi vulkaniseerimisele. Ränidioksiidi happesus aeglustab kummi vulkaniseerimist, samal ajal kui leeliselisus soodustab vulkaniseerimist, kuid liigne leeliselisus on armatuurile ebasoodne. PH on kergelt happeline ränidioksiid, mis on kasulik kummimaterjalide ja -toodete pingekindluse ja kulumiskindluse jaoks. Seetõttu on kummi jaoks sadestunud ränidioksiidi pH väärtus tavaliselt 6-8, mis on neutraalsuse lähedal.
(3) Pinna modifitseerimine
Ränidioksiidi pinna modifitseerimine viitab sidestusaine lisamisele ränidioksiidis selle hüdrofoobsuse saavutamiseks. Ühendusaine lisamisega reageerib CH3O-1 (metoksürühm) sideaine ühe otsa kergesti ränidioksiidi pinnakihil oleva silanoolrühmaga ja teisel pool reageerib kujutise kummi molekuliga, st. sidestusaine silikageeli ja kummi vahelise sildumise mõju. Ränidioksiidi pinda on võimalik muuta. Praegu kasutatakse ränidioksiidi töötlemiseks kõige sagedamini silaani sidestavat ainet (nagu Si-69).
(4) Lisandid
Sadestunud ränidioksiidi valmistamisel võib kergesti sisse tuua selliseid lisandeid nagu Cu, Fe ja Mn. Kuigi need lisandid on vähe mõjutavad kummiühendi füüsikalisi omadusi, tuleb Cu, Fe ja Mn sisaldust veel vähendada kummist toodete valmistamiseks on teatud piirmäärad suurepärased antioksüdandid ja vananemisvastased omadused. Seda silmas pidades näeb GB 10517 ette, et ränidioksiidi sadestamise meetod on vask <30 mg="" kg,="" mn=""><50 mg="" kg="" ja="" fe=""><1000 mg="" kg.naatriumisool="" on="" sadestuva="" ränidioksiidi="" tootmisel="" vältimatu,="" kuid="" see="" on="" ei="" sobi="" kasutamiseks="" loodusliku="" või="" sünteetilise="" kautšuki="" tugevdava="" täiteainena="" selle="" kõrge="" naatriumisisalduse="" tõttu="" ja="" ühendi="" läbipaistvus="" on="" ilmselt=""> Kuid tootmisprotsessis kontrollitakse reaktsioonisünteesi protsessi, välditakse üle Na + geeli tootmist ja tugevdatakse pooltoodete läga loputamist. Naatriumsoola sisaldust võib vähendada alla 0,5%, nii et sadestunud ränidioksiidil on vähe mõju kummi omadustele.
Võta meiega ühendust
JINSHA PRECIPITATED SILICA TOOTMISALA.
E-posti aadress: jk@jksilica.com
Lisa .: Gaosha Industrial Zone, Shaxian, Fujian, Hiina
EKSPORDIASUTUS
Ruum 908, Taiwan Street No.290, Xiamen, Hiina
Mobiil / WhatsApp: + 86-17850500833
Tel: +86-592-5528715
Fax.:+86-592-5528716
Kuum tags: ppt-ränidioksiidi pinnase mõju kummist toodete omadustele Hiinas, tehases, tarnijad, tootjad, ostavad, valmistatud Hiinas, ShaXian Sanming
